Несимметричный pn переход это

 

 

 

 

Образование несимметричного p-n перехода посредством металлургического Аналогично меняется концентрация основных nn(x) и неосновных pn(x) носителей в ОПЗ полупроводника n-типа. Вследствие различия концентраций электронов и дырок в n- и p-областях создается диффузионное движение свободных носителей через p-n-переход, выравнивающее концентрации дырок и электронов в полупроводнике. pn << nn и np << ppВ этом случае p-n-переход называют несимметричным. dn/dxnp/Ln, dp/dxpn/Lp, можно записать (7.36) с учетом (7.37) в виде. Ширина обедненного слоя (i-области) в равновесном состоянии l0 (см. Электронно-дырочный p-n-переход и полупроводниковые диоды на основе p- n-перехода.В зависимости от соотношения концентраций примесей в p- и n-областях переходы могут быть симметричными, несимметричными и од-носторонними (симметричные переходы нетипичны Будем считать, что переход является несимметричным, например NA>ND. Физический факультет Кафедра общей физики. Полупроводниковый p-n- переход. Поскольку Pn>Np , то дрейфовая составляющая тока в основном определяется потоком дырок из n-п/п.При подключении обратного напряжения через несимметричный p-n-переход потечёт ток, обусловленный в основном движением дырок из n-области в p-область (ток насыщения). P-N переход — точка в полупроводниковом приборе, где материал N-типа и материал P-типа соприкасаются друг с другом. Зонная диаграмма несимметричного p-n перехода. 3) Pn(0)>nno - высокий. Вследствие различия концентраций электронов и дырок в n- и p-областях создается диффузионное движениеДиффузия дырок и электронов через p-n-переход приводит к нарушению электрической нейтральности. Вклад второго типа носителей в общий ток является несущественным. Следовательно для несимметричного перехода PN переход преимущественен в области с меньшей концентрацией примеси.Толщина несимметричного PN перехода. p-n-переход состоит из двух областей-Если Na>

Ток I0 с увеличением температуры растет экспоненциально, так как экспоненциально возрастает концентрация неосновных носителей заряда pn в области полупроводника n-типа, а именно pn в основном и определяет величину I0 для несимметричного перехода : pn ni2/nn » constexp Токи в несимметричном pn nереходе при прямом смещении. Зачем нужен несимметричный pn переход. Обозначим концентрацию основных носителей в p-n области через pp, в n- области через nn, а концентрацию неосновных носителей соответственно через np и pn соответственно.

123 4 5. рис. В несимметричном p-n- переходе концентрация примеси в одной из областей на два-три порядка больше, чем в другой. 1.6, б) является важным параметром р-п перехода. Дифференциальная электрическая емкость При сопоставлении формулы (14) для емкости несимметричного. Следовательно, в несимметричных переходах инжекция носит односторонний характер.Поскольку переход является тонким, т.е. Поскольку в рассматриваемом несимметричном p-n-переходе Na>>Nд, то d1<ND. Полупроводниковым p-n- переходом называют тонкий слой, образующийся в месте контакта двухВАХ перехода получается нелинейной, а главное несимметричной: в одну сторону переход проводит ток очень хорошо, а в другую - очень плохо. токдля несимметричного перехода : например, Na>>Nd jp>>jn и. Условия равновесия для п/пПри подключении обратного напряжения через несимметричный p-n-переход потечёт ток, обусловленный в основном движением дырок из Потенциальные пороги вблизи p-n- перехода при прямом и обратном включении внешнего напряжения на нем.ВАХ перехода получается нелинейной, а главное несимметричной: в одну сторону переход проводит ток очень хорошо, а в другую - очень плохо. Аналогично меняется концентрация основных nn(x) и неосновных pn(x) носителей в ОПЗ полупроводника n-типа. Обозначим концентрацию основных носителей в p-n области через pp, в n- области через nn, а концентрацию неосновных носителей соответственно через np и pn соответственно. Ток I0 с увеличением температуры растет экспоненциально, так как экспоненциально возрастает концентрация неосновных носителей заряда pn в области полупроводника n-типа, а именно pn в основном и определяет величину I0 для несимметричного перехода : pn ni2/nn » constexp Свойства несимметричного p- n-перехода.Пусть концентрация дырок в области полупроводника p-типа намного выше концентрации электронов в области n-типа.И выполняется следующее условие: nn pn pp np.Несимметричный переходhelpiks.org/5-25346.htmlПоскольку Pn>Np , то дрейфовая составляющая тока в основном определяется потоком дырок из n-п/п.Форма p-n-перехода не изменяется.

В первом случае p-n-переход называется симметричным, во втором - несимметричным. Обозначим концентрацию основных носителей в p-n области через pp, в n- области через nn, а концентрацию неосновных носителей соответственно через np и pn соответственно.(сплавной, диффузионный и т. Ток через несимметричный p-n - переход создается одним типом носителей. Рассмотрим образование несимметричного p-n перехода при идеальном контакте двух полупроводников с различным типом проводимости. Несимметричные p-n переходы образуются между слоями с неравными концентрациями примеси. 2. переход практически весь располагается в области с меньшей концентрацией (в области n), и ширина p-n-перехода d d1 d2 »d2. Образование несимметричного pn-перехода. Различают симметричные и несимметричные p-n-переходы. nn pn. 1, а представлен несимметричный p-n - переход с эмиттером электронов. Таким образом, ВАХ pn перехода имеет видВеличина заряда ионизованных доноров и акцепторов QB на единицу площади для несимметричного pn перехода равна 3 Энергетическая диаграмма p-n перехода. Ток через несимметричный p-n - переход создается одним типом носителей. Вклад второго типа носителей в общий ток является несущественным. Лабораторный практикум по общей физике (электричество и магнетизм) П.В.Полевой, С.А.Иванов Лабораторная работа. 4. возникает электрическое поле, возвращающее электроны в n-область и дырки в p-область -электрическое поле в p-n-переходе создает т.н. 5 Вольт-амперные характеристики p-n переходов. Поскольку Pn>Np , то дрейфовая составляющая тока в основном определяется потоком дырок из n-п/п. в близи p-n-перехода возникает т.н. Электронно-дырочным переходом или p-n переходом называют переход между 2-я областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводимость n-типа, а другая — p-типа.P-n переходы бывают симметричные и несимметричные.. Зонная диаграмма несимметричного p-n перехода. Зачем и почему в диодах специально одну из областей легируют большим количеством примесей, чтобы сместить область ОПЗ в одну сторону. В используемых на практике несимметричных p-n-переходах, имеющих неодинаковые концентрации акцепторов и доноров, инжекция носит односторонний характер. Напряжение лавинного пробоя. 1, а представлен несимметричный p-n - переход с эмиттером электронов. . База. Электронно-дырочный переход (p-n-переход, n-p-переход), переходная область полупроводника, в которой имеет местоЕсли концентрации доноров и акцепторов равны, то переход будет симметричным, если концентрации не равны, то — несимметричным. На рисунке 2.9 показано распределение концентрации носителей в несимметричном p n переходе в логарифмическом масштабе и схема p n перехода. 4 Распределение электрического поля и ОПЗ в p-n переходах Симметричный и несимметричный p-n переходы. На рисунке 2.9 показано распределение концентрации носителей в несимметричном p-n переходе в логарифмическом масштабе и схема p-n перехода. Соответственно концентрация неосновных носителей заряда - электронов в полупроводнике p-типа - меньше концентрации неосновных носителей заряда - дырок в полупроводнике n-типа: np< pn. В зависимости от степени легирования (концентрации донорной и акцепторных примесей), различают симметричные и несимметричные p-n-переходы. 1.3. Изучение контактных явлений на примере pn-перехода. Симметричные и несимметричные p-n-переходы[править | править код]. Свойства несимметричного p-n-перехода.Несимметричный -переход: а — струтура -перехода в кружочках ионы, дырки и электроны) б — распределение потенциала. объемный заряд. Вследствие различия концентраций электронов и дырок в n- и p-областях создается диффузионное движение свободных носителей через p-n-переход, выравнивающее концентрации дырок и электронов в 2. Различают симметричные и несимметричные p-n-переходы. д.). В симметричных переходах концентрация электронов в полупроводнике n-типа nn и концентрация дырок в полупроводнике p-типа pp равны, т.е. В p-n-переходе концентрация основных носителей заряда в p- и n-областях могут быть равными или существенно различаться. Если p-n переход несимметричный, то есть концентрация легирующей примеси в одной из областей перехода значительно превышает концентрацию в другой области, то выражение для Сбар упрощается и принимает вид. Ширина p-n-перехода: lpn lp ln. Переход между областями полупроводника с электропроводностью - и типа называют электронно-дырочными или p-n переходами.По соотношению концентраций примесей в и слоях переходы делят на симметричные, несимметричные и односторонние. Так, на рис. Несимметричным называется pn- переход, возникающий между областями акцепторного и донорного полупроводника с неодинаковыми концентрациями примесей. В таких несимметричных переходах практически весь обедненный слой сосредоточен в слаболегированной части. Поскольку мы рассматриваем несимметричный переход, то имеем pn >> np и iЕр >> iЕn, а следовательно, можно приближенно записать iЕ iЕp таким образом, дрейфовый ток несимметричного p-n перехода ток обратносмещенного Так, на рис. Рассмотрим несимметричный pn переход, будем считать, что концентрация акцепторов больше, чем концентрация доноров NA > ND в этом случае дляАналогично меняется концентрация основных nn(x) и неосновных pn(x) носителей в ОПЗ полупроводника n-типа. P-N переход: подробно простым языком. 2.5 Обратное смещение p-n перехода.Эмиттер. При этом более эффективны несимметричные p-n переходы, в которых одна область, например, p значительно сильнее легирована акцепторной примесью, чем область n-донорной, либо наоборот [2,9,11,13]. Будем считать, что переход является несимметричным, например NA>ND.

Недавно написанные:





 

Навигация по сайту:

 

Copyright2018 ©